उत्पाद का विवरण
मॉडल संख्या: SPS50B12G3H6
भुगतान और शिपिंग की शर्तें
ठोस शक्ति-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0
1200V 50A आईजीबीटी आधा पुल मॉड्यूल
विशेषताएं:
□ 1200V ट्रेंच + फील्ड स्टॉप तकनीक
□ त्वरित और नरम रिवर्स रिकवरी के साथ फ्रीव्हीलिंग डायोड
□ Vसीई ((सात)सकारात्मक तापमान गुणांक के साथ
□ कम स्विचिंग हानि
विशिष्ट अनुप्रयोग:
□ वेल्डिंग
पैकेज
| पद | प्रतीक | शर्तें | मूल्य | इकाई | |||
|
अलगाव परीक्षण वोल्टेज |
विसोल | आरएमएस, एफ = 50 हर्ट्ज, टी = 1 मिनट |
4.0 |
केवी |
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मॉड्यूल बेसप्लेट की सामग्री |
कु |
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आंतरिक अलगाव |
(वर्ग 1, आईईसी 61140) बुनियादी इन्सुलेशन (वर्ग 1, आईईसी 61140) |
अल2ओ3 |
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रेंगने की दूरी |
ड्रिप | हीटसिंक के लिए टर्मिनल | 17.0 |
मिमी |
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| ड्रिप | टर्मिनल से | 20.0 | |||||
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मंजूरी |
dस्पष्ट | हीटसिंक के लिए टर्मिनल | 17.0 |
मिमी |
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| dClea | टर्मिनल से | 9.5 | |||||
|
तुलनात्मक ट्रैकिंग सूचकांक |
सीटीआई |
>200 |
|||||
| पद | प्रतीक | शर्तें | मूल्य | इकाई | |||
| मिनट. | टाइप करें। | मैक्स. | |||||
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भटकने वाले प्रेरण मॉड्यूल |
LsCE |
20 |
nH |
||||
|
मॉड्यूल लीड प्रतिरोध, टर्मिनल - चिप |
आरसीसी+ईई | टीसी=25°C |
0.65 |
mΩ |
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भंडारण तापमान |
Tstg |
-40 |
125 |
°C | |||
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मॉड्यूल को माउंट करने के लिए माउंटिंग टॉर्क |
एम6 |
3.0 |
5.0 |
Nm |
|||
|
टर्मिनल कनेक्शन टॉर्क |
एम5 |
2.5 |
5.0 |
Nm |
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|
वजन |
जी |
150 |
घ |
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आईजीबीटी
| पद | प्रतीक | शर्तें | मूल्य | इकाई | |
|
कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज |
वीसीईएस | टीvj=25°C |
1200 |
वी |
|
|
गेट-एमिटर का अधिकतम वोल्टेज |
वीजीईएस |
±20 |
वी |
||
|
क्षणिक गेट-एमिटर वोल्टेज |
वीजीईएस | tपी≤10μs, D=0.01 |
±30 |
वी |
|
|
निरंतर डीसी कलेक्टर धारा |
मैंसी | टीसी=25°C | 80 |
ए |
|
| टीसी=100°C | 50 | ||||
|
पल्सड कलेक्टर करंट,tp T द्वारा सीमितjmax |
ICpulse |
100 |
ए |
||
|
शक्ति अपव्यय |
Ptot |
326 |
W |
||
विशेषता मूल्य
| पद | प्रतीक | शर्तें | मूल्य | इकाई | |||
| मिनट. | टाइप करें। | मैक्स. | |||||
|
कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति वोल्टेज |
वीसीई (sat) | मैंसी=50A, Vजीई=15V | टीvj=25°C | 2.07 | 2.55 |
वी |
|
| टीvj=125°C | 2.49 | ||||||
| टीvj=150°C | 2.61 | ||||||
|
गेट सीमा वोल्टेज |
VGE (th) | वीसीई=Vजीई, मैंसी=2mA |
5.2 |
5.7 |
6.3 |
वी |
|
|
कलेक्टर-एमिटर कट-ऑफ करंट |
आईसीईएस | वीसीई=1200V, Vजीई=0V | टीvj=25°C | 100 | μA | ||
| टीvj=150°C | 5 | mA | |||||
|
गेट-एमिटर रिसाव धारा |
IGES | वीसीई=0V,Vजीई=±20V, Tvj=25°C | -200 | 200 | nA | ||
|
गेट चार्ज |
Qजी | वीसीई=600V, Iसी= 50A, Vजीई=±15V | 0.25 | μC | |||
|
इनपुट क्षमता |
सीईएस | वीसीई=25V, Vजीई=0V, f =100kHz | 3.0 |
nF |
|||
|
रिवर्स ट्रांसफर क्षमता |
क्रेस | 0.12 | |||||
|
आंतरिक गेट प्रतिरोधक |
RGint | टीvj=25°C | 2.8 | ओ | |||
|
चालू करने में देरी का समय, प्रेरक भार |
td ((ऑन) | वीसीसी=600V,Iसी=50 ए आरजी=15Ω, Vजीई=±15V | टीvj=25°C | 52 | एनएस | ||
| टीvj=125°C | 49 | एनएस | |||||
| टीvj=150°C | 49 | एनएस | |||||
|
वृद्धि समय, प्रेरक भार |
tr | टीvj=25°C | 27 | एनएस | |||
| टीvj=125°C | 30 | एनएस | |||||
| टीvj=150°C | 31 | एनएस | |||||
|
बंद होने का देरी का समय, प्रेरक भार |
td(बंद) | वीसीसी=600V,Iसी=50 ए आरजी=15Ω, Vजीई=±15V | टीvj=25°C | 192 | एनएस | ||
| टीvj=125°C | 230 | एनएस | |||||
| टीvj=150°C | 240 | एनएस | |||||
|
गिरने का समय, प्रेरक भार |
tf | टीvj=25°C | 152 | एनएस | |||
| टीvj=125°C | 202 | एनएस | |||||
| टीvj=150°C | 207 | एनएस | |||||
|
प्रति धड़कन चालू ऊर्जा हानि |
ईओन | वीसीसी=600V,Iसी=50 ए आरजी=15Ω, Vजीई=±15V | टीvj=25°C | 3.3 | एमजे | ||
| टीvj=125°C | 5.2 | एमजे | |||||
| टीvj=150°C | 5.9 | एमजे | |||||
|
बंद करें प्रति पल्स ऊर्जा हानि |
इफ़ | टीvj=25°C | 2.3 | एमजे | |||
| टीvj=125°C | 3.0 | एमजे | |||||
| टीvj=150°C | 3.2 | एमजे | |||||
|
एससी डेटा |
आईएससी | वीजीई≤15V, Vसीसी=800V | tp≤10μs Tvj=150°C |
260 |
ए |
||
|
आईजीबीटी थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-केस |
RthJC | 0.46 | के /डब्ल्यू | ||||
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परिचालन तापमान |
TJop | -40 | 150 | °C | |||
डायोड
अधिकतम रेटेड मूल्य
| पद | प्रतीक | शर्तें | मूल्य | इकाई | |
|
पुनरावर्ती रिवर्स वोल्टेज |
वीआरआरएम | टीvj=25°C |
1200 |
वी |
|
|
निरंतर सी.सी. आगे की धारा |
मैंF |
50 |
ए |
||
|
डायोड पल्सड करंट,tp T द्वारा सीमितJmax |
IFpulse |
100 |
|||
|
मैं2टी-मूल्य |
मैं2t |
490 |
ए2s | ||
विशेषता मूल्य/特征मूल्य
| पद | प्रतीक | शर्तें | मूल्य | इकाई | |||
| मिनट. | टाइप करें। | मैक्स. | |||||
|
आगे का वोल्टेज |
वीF | मैंF= 50A, Vजीई=0V | टीvj=25°C | 2.11 | 2.60 |
वी |
|
| टीvj=125°C | 1.85 | ||||||
| टीvj=150°C | 1.75 | ||||||
|
पीक रिवर्स रिकवरी करंट |
आईआरआरएम |
मैंF=50A डी आईF/dt=-1300A/μs (T)vj=150°C) Vआर=600V, वीजीई=-15V |
टीvj=25°C | 59 |
ए |
||
| टीvj=125°C | 83 | ||||||
| टीvj=150°C | 90 | ||||||
|
रिवर्स रिकवरी शुल्क |
QRR | टीvj=25°C | 2.0 |
μC |
|||
| टीvj=125°C | 6.5 | ||||||
| टीvj=150°C | 8.9 | ||||||
|
प्रति धड़कन रिवर्स रिकवरी ऊर्जा हानि |
एरिक | टीvj=25°C | 0.3 |
एमजे |
|||
| टीvj=125°C | 1.7 | ||||||
| टीvj=150°C | 2.7 | ||||||
|
डायोड थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-केस |
RthJCD |
0.95 |
के /डब्ल्यू |
||||
|
परिचालन तापमान |
TJop |
-40 |
150 |
°C | |||
आउटपुट विशेषता (typical) आउटपुट विशेषता (सामान्य)
मैंसी= f (Vसीई) Iसी= f (Vसीई) Tvj= 150°C
आईजीबीटी
स्थानांतरण विशेषता (सामान्य) स्विच करना हानि आईजीबीटी(विशिष्ट)
मैंसी= f (Vजीई) E = f (Rजी)
वीसीई= 20V Vजीई= ±15V, Iसी= 50A, Vसीई= 600V
आईजीबीटी आरबीएसओए
स्विच करना हानि आईजीबीटी(सामान्य) पीछे की ओर पूर्वाग्रह सुरक्षित परिचालन क्षेत्र ((RBSOA)
E = f (Iसी) Iसी=f (Vसीई)
वीजीई= ±15V, Rजी= 15Ω, वीसीई= 600V Vजीई= ±15V, Rगफ= 15Ω, Tvj= 150°C
विशिष्ट क्षमता जैसे अ कार्य का कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज गेट चार्ज (सामान्य)
C = f (V)सीई) Vजीई= f (Qजी)
f = 100 kHz, Vजीई= 0V Iसी= 50A, Vसीई= 600V
आईजीबीटी
आईजीबीटी अस्थायी ताप प्रतिबाधा जैसे अ कार्य धड़कन चौड़ाई आगे विशेषता का डायोड (सामान्य)
Zth(j-c) = f (t) IF= f (VF)
स्विचिंग हानि डायोड (सामान्य) स्विचिंगहानि डायोड (सामान्य)
ईरेक= f (Rजी) ईरेक= f (IF)
मैंF= 50A, Vसीई= 600V Rजी= 15Ω, Vसीई= 600V
पल्स चौड़ाई के फलन के रूप में डायोड क्षणिक थर्मल प्रतिबाधा
Zth(j-c) = f (t)
"1200 वी 50 ए आईजीबीटी हाफ ब्रिज मॉड्यूल" एक पावर इलेक्ट्रॉनिक्स डिवाइस है जिसमें दो आइसोलेटेड गेट द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर (आईजीबीटी) एक हाफ ब्रिज सेटअप में कॉन्फ़िगर किए गए हैं।यह वर्तमान के द्विदिश नियंत्रण की आवश्यकता अनुप्रयोगों के लिए बनाया गया है, 1200 वोल्ट के अधिकतम वोल्टेज और 50 एम्पियर की वर्तमान क्षमता के साथ। यह मॉड्यूल आम तौर पर मोटर ड्राइव, इन्वर्टर,और इसी तरह के अनुप्रयोगों जहां दोनों वोल्टेज और वर्तमान का सटीक नियंत्रण महत्वपूर्ण हैविश्वसनीय प्रदर्शन के लिए उचित शीतलन और गेट ड्राइव सर्किट आवश्यक हैं। विस्तृत विनिर्देश निर्माता की डेटाशीट में पाए जा सकते हैं।
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